收藏本站
RQ1A060ZP
l Measurement circuits
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.1-2 　 Switching Waveforms
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
Data Sheet
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
10/11
2012.09 - Rev.B
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
RQ1A070ZPTR MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
RQ1E050RPTR MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
RRH040P03TB1 MOSFET P-CH 30V 4A SOP8
RRH050P03TB1 MOSFET P-CH 30V 5A SOP8
RRH075P03TB1 MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8
RRH100P03TB1 MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
RRH140P03TB1 MOSFET P-CH 30V 14A SOP8
RRL025P03TR MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
相关代理商/技术参数
RQ1A070AP 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET
RQ1A070APTR 功能描述:MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RQ1A070ZP 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET
RQ1A070ZPTR 功能描述:MOSFET SW MOSFET MID PWR P-CH 12V -7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RQ1C065UN 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET
RQ1C065UNTR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSMT T/R Cut Tape
RQ1C075UN 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET
RQ1C075UNTR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin TSMT T/R Cut Tape